![TPH4R10ANL,L1Q(M TPH4R10ANL,L1Q(M](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3872538-40.jpg)
TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA
![3622637.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 67W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 7553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 68.4 грн |
500+ | 57.67 грн |
1000+ | 49.72 грн |
5000+ | 46.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R10ANL,L1Q(M TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R10ANL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0033 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 67W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 67W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm.
Інші пропозиції TPH4R10ANL,L1Q(M за ціною від 46.22 грн до 126.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm |
на замовлення 7553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 92A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 67W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
TPH4R10ANL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; 67W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Power dissipation: 67W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |