Продукція > TOSHIBA > TPH1R306PL1,LQ(M
TPH1R306PL1,LQ(M

TPH1R306PL1,LQ(M TOSHIBA

3934793.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+110.4 грн
500+ 89.89 грн
1000+ 66.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R306PL1,LQ(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 280A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TPH1R306PL1,LQ(M за ціною від 66.99 грн до 196 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1R306PL1,LQ(M TPH1R306PL1,LQ(M Виробник : TOSHIBA 3934793.pdf Description: TOSHIBA - TPH1R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 280 A, 0.001 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+196 грн
10+ 144 грн
100+ 110.4 грн
500+ 89.89 грн
1000+ 66.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPH1R306PL1,LQ(M Виробник : Toshiba TPH1R306PL1,LQ(M
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+164.25 грн
92+ 133.07 грн
100+ 124.75 грн
500+ 106.26 грн
1000+ 92.45 грн
2000+ 86.44 грн
5000+ 83.05 грн
Мінімальне замовлення: 75
TPH1R306PL1,LQ(M Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товар відсутній