TPH11006NL,LQ(S TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 34W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
на замовлення 50242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 32.53 грн |
| 500+ | 25.21 грн |
| 1000+ | 17.68 грн |
| 5000+ | 16.06 грн |
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Технічний опис TPH11006NL,LQ(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 34W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0096ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm.
Інші пропозиції TPH11006NL,LQ(S за ціною від 16.06 грн до 67.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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TPH11006NL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 34W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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TPH11006NL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH11006NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0096 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm |
на замовлення 50242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TPH11006NL,LQ(S | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; 34W; SOP8A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Power dissipation: 34W Case: SOP8A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
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