Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH1R005PL,L1Q
TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+57.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V.

Інші пропозиції TPH1R005PL,L1Q за ціною від 54.28 грн до 142.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 45V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 22.5 V
на замовлення 9845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.46 грн
10+ 106.53 грн
100+ 84.79 грн
500+ 67.33 грн
1000+ 57.13 грн
2000+ 54.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1R005PL,L1Q TPH1R005PL,L1Q Виробник : Toshiba TPH1R005PL_datasheet_en_20200508-1916292.pdf MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.27 грн
10+ 118.92 грн
100+ 82.01 грн
500+ 69.67 грн
1000+ 55.98 грн
5000+ 55.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH1R005PL,L1Q Виробник : Toshiba tph1r005pl_datasheet_en_20200508.pdf Trans MOSFET N-CH Si 45V 280A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній