Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R506PL,L1Q
TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

TPH2R506PL_datasheet_en_20191017.pdf?did=55522&prodName=TPH2R506PL Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH2R506PL,L1Q за ціною від 39.43 грн до 148.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q Виробник : Toshiba tph2r506pl_datasheet_en_20191017.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+45.45 грн
10000+ 43.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q Виробник : Toshiba tph2r506pl_datasheet_en_20191017.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+48.95 грн
10000+ 46.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q Виробник : Toshiba TPH2R506PL_datasheet_en_20191017-1075470.pdf MOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
на замовлення 23670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.66 грн
10+ 97.8 грн
100+ 60.31 грн
500+ 48.08 грн
1000+ 40.77 грн
5000+ 39.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH2R506PL_datasheet_en_20191017.pdf?did=55522&prodName=TPH2R506PL Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 56445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.26 грн
10+ 91.44 грн
100+ 62.11 грн
500+ 46.45 грн
1000+ 42.64 грн
2000+ 39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q Виробник : Toshiba tph2r506pl_datasheet_en_20191017.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній