![TPH2R506PL,L1Q TPH2R506PL,L1Q](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2450/8-PowerVDFN%20PKG.jpg)
TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
![TPH2R506PL_datasheet_en_20191017.pdf?did=55522&prodName=TPH2R506PL](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 41.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R506PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPH2R506PL,L1Q за ціною від 39.43 грн до 148.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 23670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V |
на замовлення 56445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TPH2R506PL,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |