![TPH5900CNH,L1Q TPH5900CNH,L1Q](https://www.mouser.com/images/toshibaamericaelectroniccomponentsinc/lrg/SOP_8_Advance_SPL.jpg)
на замовлення 12973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.82 грн |
10+ | 64.02 грн |
100+ | 40.27 грн |
500+ | 32.47 грн |
1000+ | 26.36 грн |
2500+ | 26.29 грн |
5000+ | 24.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH5900CNH,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V.
Інші пропозиції TPH5900CNH,L1Q за ціною від 26.28 грн до 104.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH5900CNH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V |
на замовлення 3396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
TPH5900CNH,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
TPH5900CNH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V |
товар відсутній |