Продукція > TOSHIBA > TPH5900CNH,L1Q
TPH5900CNH,L1Q

TPH5900CNH,L1Q Toshiba

TPH5900CNH_datasheet_en_20140225-1916265.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs UMOSVIII 150V 64mOhm (VGS=10V) SOP-ADV
на замовлення 12973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.82 грн
10+ 64.02 грн
100+ 40.27 грн
500+ 32.47 грн
1000+ 26.36 грн
2500+ 26.29 грн
5000+ 24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH5900CNH,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V.

Інші пропозиції TPH5900CNH,L1Q за ціною від 26.28 грн до 104.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH5900CNH,L1Q TPH5900CNH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14559&prodName=TPH5900CNH Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
на замовлення 3396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.92 грн
10+ 63.92 грн
100+ 42.61 грн
500+ 31.39 грн
1000+ 28.62 грн
2000+ 26.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH5900CNH,L1Q TPH5900CNH,L1Q Виробник : Toshiba 532docget.jsplangenpidtph5900cnhtypedatasheet.jsplangenpidtph5900cnh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 18A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH5900CNH,L1Q TPH5900CNH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH5900CNH_datasheet_en_20140225.pdf?did=14559&prodName=TPH5900CNH Description: MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
товар відсутній