Продукція > TOSHIBA > TPH4R008QM,LQ(M1
TPH4R008QM,LQ(M1

TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+65.84 грн
500+ 53.19 грн
1000+ 42.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH4R008QM,LQ(M1 TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ(M1 за ціною від 42.88 грн до 116.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH4R008QM,LQ(M1 TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH4R008QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 140 A, 0.0031 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.8 грн
10+ 88.8 грн
100+ 65.84 грн
500+ 53.19 грн
1000+ 42.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+55.46 грн
10000+ 50.67 грн
20000+ 47.15 грн
30000+ 42.88 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+62.02 грн
70000+ 56.68 грн
140000+ 52.74 грн
210000+ 47.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba TPH4R008QM,LQ(M1
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
110+112.11 грн
120+ 101.92 грн
148+ 83.06 грн
200+ 74.89 грн
500+ 69.16 грн
1000+ 58.97 грн
2000+ 55.04 грн
Мінімальне замовлення: 110
TPH4R008QM,LQ(M1 Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товар відсутній