Продукція > TOSHIBA > TPHR8504PL,L1Q
TPHR8504PL,L1Q

TPHR8504PL,L1Q Toshiba

tphr8504pl_datasheet_en_20191024.pdf Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+57.52 грн
10000+ 56.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR8504PL,L1Q Toshiba

Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V.

Інші пропозиції TPHR8504PL,L1Q за ціною від 49.63 грн до 131.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr8504pl_datasheet_en_20191024.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+61.94 грн
10000+ 61.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr8504pl_datasheet_en_20191024.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 191
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.12 грн
10+ 97.81 грн
100+ 77.89 грн
500+ 61.85 грн
1000+ 52.48 грн
2000+ 49.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr8504pl_datasheet_en_20191024.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+129.84 грн
10+ 107.61 грн
25+ 106.55 грн
100+ 81.05 грн
250+ 70.61 грн
500+ 59.77 грн
1000+ 54.7 грн
3000+ 49.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Виробник : Toshiba TPHR8504PL_datasheet_en_20191024-708687.pdf MOSFET 40 Volt N-Channel
на замовлення 34809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.71 грн
10+ 108.84 грн
100+ 75.04 грн
250+ 71.66 грн
500+ 62.6 грн
1000+ 51.44 грн
2500+ 51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Виробник : Toshiba tphr8504pl_datasheet_en_20191024.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
товар відсутній