на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 290+ | 42.31 грн |
| 329+ | 37.22 грн |
| 345+ | 35.55 грн |
| 500+ | 32.48 грн |
| 1000+ | 28.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH3R203NL,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції TPH3R203NL,L1Q(M за ціною від 32.43 грн до 105.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TPH3R203NL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
TPH3R203NL,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH3R203NL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 0.0027 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
TPH3R203NL,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 84A 8-Pin SOP Advance T/R |
товар відсутній |