Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPHR9003NL1,LQ
TPHR9003NL1,LQ

TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.46 грн
10+ 85.13 грн
100+ 67.78 грн
500+ 53.82 грн
1000+ 45.67 грн
2000+ 43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPHR9003NL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V.

Інші пропозиції TPHR9003NL1,LQ за ціною від 44.14 грн до 114.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Виробник : Toshiba TPHR9003NL1_datasheet_en_20200626-2449249.pdf MOSFET UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)
на замовлення 22798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.82 грн
10+ 93.49 грн
100+ 64.9 грн
250+ 62.11 грн
500+ 54.91 грн
1000+ 44.29 грн
5000+ 44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Виробник : Toshiba tphr9003nl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товар відсутній
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Виробник : Toshiba tphr9003nl1_datasheet_en_20200626.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 320A 8-Pin SOP Advance(N) T/R
товар відсутній
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=69022&prodName=TPHR9003NL1 Description: UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товар відсутній