Продукція > TOSHIBA > TPH3R10AQM,LQ
TPH3R10AQM,LQ

TPH3R10AQM,LQ Toshiba

TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817-3175374.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs 100V U-MOS X-H SOP-Advance(N) 3.1mohm
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 64-73 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.72 грн
10+ 98.61 грн
100+ 67.97 грн
250+ 65.08 грн
500+ 57.49 грн
1000+ 46.39 грн
2500+ 46.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R10AQM,LQ Toshiba

Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V.

Інші пропозиції TPH3R10AQM,LQ за ціною від 45.22 грн до 167.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH3R10AQM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.27 грн
10+ 103.45 грн
100+ 70.6 грн
500+ 53.05 грн
1000+ 48.8 грн
2000+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH3R10AQM,LQ Виробник : Toshiba tph3r10aqm_datasheet_en_20210817.pdf Silicon N-Channel MOSFET
товар відсутній
TPH3R10AQM,LQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R10AQM_datasheet_en_20210817.pdf?did=140441&prodName=TPH3R10AQM Description: 100V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 50 V
товар відсутній