на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.02 грн |
10+ | 114.16 грн |
25+ | 90.64 грн |
100+ | 73.37 грн |
500+ | 58.91 грн |
1000+ | 52.51 грн |
2500+ | 50.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R306NH,L1Q Toshiba
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V.
Інші пропозиції TPH2R306NH,L1Q за ціною від 52.11 грн до 177.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPH2R306NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q Код товару: 149945 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
TPH2R306NH,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V |
товар відсутній |