![TPH14006NH,L1Q(M TPH14006NH,L1Q(M](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4251f541ffeaa3b5f2b059a4ccbca96703dc7c8d/tphr6503pll1q.jpg)
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
654+ | 18.71 грн |
658+ | 18.61 грн |
684+ | 17.88 грн |
1000+ | 16.94 грн |
2000+ | 15.59 грн |
5000+ | 14.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH14006NH,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції TPH14006NH,L1Q(M за ціною від 28.94 грн до 92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH14006NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TPH14006NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH14006NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 34 A, 0.011 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: SOP Advance Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: U-MOSVIII-H Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 3998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TPH14006NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |