Продукція > TOSHIBA > TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENH,L1Q(M

TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA

3934787.pdf Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.4 грн
500+ 55.27 грн
1000+ 47.11 грн
2500+ 43.95 грн
5000+ 41.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH1110ENH,L1Q(M TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TPH1110ENH,L1Q(M за ціною від 36.89 грн до 89.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M Виробник : Toshiba 558docget.jsplangenpidtph1110enhtypedatasheet.jsplangenpidtph1110enh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+70.9 грн
203+ 60.3 грн
237+ 51.67 грн
250+ 47.21 грн
500+ 40.94 грн
1000+ 36.89 грн
Мінімальне замовлення: 173
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH1110ENH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 13 A, 0.096 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.6 грн
11+ 78.88 грн
100+ 65.36 грн
500+ 54.45 грн
1000+ 46.35 грн
5000+ 43.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENH,L1Q(M Виробник : Toshiba 558docget.jsplangenpidtph1110enhtypedatasheet.jsplangenpidtph1110enh.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній