Продукція > TOSHIBA > TPH3R506PL,LQ(S
TPH3R506PL,LQ(S

TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+47.04 грн
500+ 39.15 грн
1000+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH3R506PL,LQ(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 116W, Bauform - Transistor: SOP Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції TPH3R506PL,LQ(S за ціною від 35.45 грн до 84.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH3R506PL,LQ(S TPH3R506PL,LQ(S Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - TPH3R506PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 135 A, 0.0026 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 116W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+64.88 грн
15+ 56.72 грн
100+ 47.04 грн
500+ 39.15 грн
1000+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 13
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+79.95 грн
165+ 74.33 грн
196+ 62.58 грн
207+ 57.04 грн
500+ 52.63 грн
1000+ 45.71 грн
2000+ 43.04 грн
3000+ 42.86 грн
Мінімальне замовлення: 153
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba TPH3R506PL,LQ(S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+84.32 грн
152+ 80.55 грн
250+ 77.32 грн
500+ 71.87 грн
1000+ 64.38 грн
2500+ 59.97 грн
Мінімальне замовлення: 146
TPH3R506PL,LQ(S Виробник : Toshiba MOSFET SOP-8 SINGLE
товар відсутній