![TPH4R008QM,LQ TPH4R008QM,LQ](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/4251f541ffeaa3b5f2b059a4ccbca96703dc7c8d/tphr6503pll1q.jpg)
на замовлення 4032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
231+ | 51.49 грн |
232+ | 51.26 грн |
259+ | 45.88 грн |
260+ | 44 грн |
500+ | 38.18 грн |
1000+ | 35.08 грн |
3000+ | 33.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH4R008QM,LQ Toshiba
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V.
Інші пропозиції TPH4R008QM,LQ за ціною від 31.11 грн до 84.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH4R008QM,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 4032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
TPH4R008QM,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 7458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
TPH4R008QM,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
TPH4R008QM,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 600µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 40 V |
товар відсутній |