![TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2450/8-PowerVDFN%20PKG.jpg)
TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
![TPH1R712MD_datasheet_en_20191030.pdf?did=14889&prodName=TPH1R712MD](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 36.9 грн |
10000+ | 34.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V.
Інші пропозиції TPH1R712MD,L1Q за ціною від 35.01 грн до 104.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH1R712MD,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPH1R712MD,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPH1R712MD,L1Q | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V |
на замовлення 13065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPH1R712MD,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 8923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
TPH1R712MD,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
TPH1R712MD,L1Q | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |