на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
229+ | 51.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R608NH,L1Q(M Toshiba
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 142W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 142W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm.
Інші пропозиції TPH2R608NH,L1Q(M за ціною від 39.37 грн до 113.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 142W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm |
на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
на замовлення 9549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 0.0021 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 142W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm |
на замовлення 3899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
TPH2R608NH,L1Q(M | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance |
товар відсутній |