![TPH2R003PL,LQ TPH2R003PL,LQ](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2450/8-PowerVDFN PKG.jpg)
TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
![TPH2R003PL_datasheet_en_20160906.pdf?did=54498&prodName=TPH2R003PL](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 25.55 грн |
6000+ | 23.43 грн |
9000+ | 22.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис TPH2R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V.
Інші пропозиції TPH2R003PL,LQ за ціною від 22.49 грн до 61.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
TPH2R003PL,LQ | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
TPH2R003PL,LQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6410 pF @ 15 V |
на замовлення 10998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|