Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (19922) > Сторінка 251 з 333

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 231 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXTP230N075T2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n075t2_datasheet.pdf.pdf IXTP230N075T2 THT N channel transistors
товар відсутній
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+402.47 грн
3+ 349.19 грн
4+ 276.15 грн
11+ 260.47 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.03 грн
3+ 275.92 грн
5+ 216.91 грн
13+ 204.72 грн
IXTP24P085T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf IXTP24P085T THT P channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.81 грн
10+ 108.89 грн
26+ 102.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP260N055T2 IXTP260N055T2 IXYS IXTA(P)260N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.94 грн
3+ 396.24 грн
4+ 317.97 грн
9+ 300.54 грн
IXTP26P10T IXTP26P10T IXYS IXT_26P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.75 грн
3+ 240.64 грн
6+ 184.68 грн
15+ 174.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS IXT_26P20P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+510.35 грн
3+ 352.81 грн
9+ 321.45 грн
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 IXYS IXTH(P)270N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+284.26 грн
3+ 246.97 грн
6+ 194.26 грн
15+ 182.94 грн
IXTP28P065T IXTP28P065T IXYS IXT_28P065T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 31ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP2N100P IXTP2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 IXYS IXTP(Y)2N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 137ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 920ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+437.18 грн
3+ 372.71 грн
4+ 328.42 грн
9+ 310.13 грн
50+ 301.41 грн
IXTP300N04T2 IXTP300N04T2 IXYS IXTA(P)300N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO220AB; 53ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP32N20T IXTP32N20T IXYS IXTA(P)32N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO220AB; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns
кількість в упаковці: 50 шт
товар відсутній
IXTP32N65X IXYS DS100585D(IXTP-TQ-TH32N65X).pdf IXTP32N65X THT N channel transistors
товар відсутній
IXTP32N65XM IXTP32N65XM IXYS IXTP32N65XM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 78W; TO220FP; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 78W
Case: TO220FP
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP32P05T IXTP32P05T IXYS IXT_32P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 26ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.55 грн
3+ 139.32 грн
10+ 105.41 грн
27+ 99.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP32P20T IXTP32P20T IXYS IXT_32P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+650.14 грн
3+ 439.66 грн
7+ 422.5 грн
IXTP340N04T4 IXTP340N04T4 IXYS IXTH(P)340N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO220AB; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS IXT_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS IXTA36N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP36P15P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf IXTP36P15P THT P channel transistors
товар відсутній
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
товар відсутній
IXTP3N100P IXTP3N100P IXYS IXTA(H,P)3N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS IXTA(P)3N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP44N10T IXTP44N10T IXYS IXTP(Y)44N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.32 грн
10+ 86.24 грн
14+ 76.66 грн
37+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP44P15T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_44p15t_datasheet.pdf.pdf IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.15 грн
4+ 304.9 грн
10+ 288.35 грн
IXTP450P2 IXTP450P2 IXYS IXTH(P,Q)450P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.4 грн
3+ 271.39 грн
5+ 208.2 грн
14+ 196.88 грн
IXTP460P2 IXTP460P2 IXYS IXTQ460P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO220AB; 400ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP48N20T IXTP48N20T IXYS IXTA(P,Q)48N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.06 грн
3+ 235.21 грн
6+ 184.68 грн
15+ 175.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS IXT_48P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 30ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.55 грн
3+ 212.59 грн
6+ 184.68 грн
15+ 174.23 грн
50+ 171.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.93 грн
3+ 144.74 грн
9+ 116.73 грн
25+ 110.63 грн
300+ 106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N80P IXTP4N80P IXYS IXTA(P)4N80P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.93 грн
3+ 143.84 грн
10+ 111.51 грн
26+ 105.41 грн
300+ 103.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP50N20P IXTP50N20P IXYS IXTA50N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+303.02 грн
3+ 258.73 грн
5+ 224.75 грн
10+ 223.88 грн
13+ 212.56 грн
50+ 208.2 грн
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS IXTP50N20PM-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+357.44 грн
3+ 310.29 грн
5+ 238.69 грн
12+ 225.63 грн
IXTP52P10P IXTP52P10P IXYS IXT_52P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP56N15T IXTP56N15T IXYS IXTA(P)56N15T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 300W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.18 грн
3+ 142.93 грн
10+ 109.76 грн
26+ 103.67 грн
250+ 101.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+451.25 грн
3+ 390.81 грн
4+ 306.64 грн
10+ 290.09 грн
IXTP62N15P IXTP62N15P IXYS IXTA62N15P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.66 грн
3+ 281.35 грн
5+ 216.91 грн
13+ 205.59 грн
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS IXTA(H,P)6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+758.03 грн
2+ 525.6 грн
3+ 505.26 грн
6+ 478.26 грн
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+576.96 грн
3+ 398.95 грн
8+ 363.27 грн
IXTP70N075T2 IXTP70N075T2 IXYS IXTA(P)70N075T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP75N10P IXTP75N10P IXYS IXTA75N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP76N25T IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf IXTP76N25T THT N channel transistors
товар відсутній
IXTP76P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.15 грн
4+ 304.9 грн
10+ 288.35 грн
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.86 грн
3+ 213.5 грн
7+ 162.9 грн
18+ 154.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP80N12T2 IXTP80N12T2 IXYS IXTA(P)80N12T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
Power dissipation: 325W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP86N20T IXTP86N20T IXYS IXTA(P,Q)86N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 86A; 550W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 86A
Power dissipation: 550W
Case: TO220AB
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP8N70X2 IXTP8N70X2 IXYS IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.75 грн
3+ 240.64 грн
6+ 184.68 грн
16+ 174.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M IXYS IXTP8N70X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.89 грн
3+ 170.07 грн
7+ 147.22 грн
10+ 146.35 грн
19+ 139.38 грн
50+ 137.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.55 грн
3+ 139.32 грн
10+ 107.15 грн
27+ 101.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP96P085T IXTP96P085T IXYS IXT_96P085T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTQ10P50P IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+517.86 грн
3+ 376.33 грн
8+ 356.3 грн
IXTQ110N10P IXTQ110N10P IXYS IXTQ110N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP230N075T2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n075t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP230N075T2 THT N channel transistors
товар відсутній
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.47 грн
3+ 349.19 грн
4+ 276.15 грн
11+ 260.47 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+318.03 грн
3+ 275.92 грн
5+ 216.91 грн
13+ 204.72 грн
IXTP24P085T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_24p085t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP24P085T THT P channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+169.81 грн
10+ 108.89 грн
26+ 102.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP260N055T2 IXTA(P)260N055T2.pdf
IXTP260N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.94 грн
3+ 396.24 грн
4+ 317.97 грн
9+ 300.54 грн
IXTP26P10T IXT_26P10T.pdf
IXTP26P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.75 грн
3+ 240.64 грн
6+ 184.68 грн
15+ 174.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP26P20P IXT_26P20P.pdf
IXTP26P20P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+510.35 грн
3+ 352.81 грн
9+ 321.45 грн
IXTP270N04T4 IXTH(P)270N04T4.pdf
IXTP270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+284.26 грн
3+ 246.97 грн
6+ 194.26 грн
15+ 182.94 грн
IXTP28P065T IXT_28P065T.pdf
IXTP28P065T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 31ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTP2N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO220AB; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP2N65X2 IXTP(Y)2N65X2.pdf
IXTP2N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 137ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP2R4N120P IXT_2R4N120P.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 920ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.18 грн
3+ 372.71 грн
4+ 328.42 грн
9+ 310.13 грн
50+ 301.41 грн
IXTP300N04T2 IXTA(P)300N04T2.pdf
IXTP300N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO220AB; 53ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP32N20T IXTA(P)32N20T.pdf
IXTP32N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO220AB; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns
кількість в упаковці: 50 шт
товар відсутній
IXTP32N65X DS100585D(IXTP-TQ-TH32N65X).pdf
Виробник: IXYS
IXTP32N65X THT N channel transistors
товар відсутній
IXTP32N65XM IXTP32N65XM.pdf
IXTP32N65XM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 32A; 78W; TO220FP; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Power dissipation: 78W
Case: TO220FP
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP32P05T IXT_32P05T.pdf
IXTP32P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 26ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.55 грн
3+ 139.32 грн
10+ 105.41 грн
27+ 99.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP32P20T IXT_32P20T.pdf
IXTP32P20T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+650.14 грн
3+ 439.66 грн
7+ 422.5 грн
IXTP340N04T4 IXTH(P)340N04T4.pdf
IXTP340N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO220AB; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP34N65X2 IXT_34N65X2.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP36N30P IXTA36N30P-DTE.pdf
IXTP36N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP36P15P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP36P15P THT P channel transistors
товар відсутній
IXTP3N100D2 IXTA(P)3N100D2.pdf
IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
товар відсутній
IXTP3N100P IXTA(H,P)3N100P.pdf
IXTP3N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP3N120 IXT_3N120.pdf
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP3N50D2 IXTA(P)3N50D2.pdf
IXTP3N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP44N10T IXTP(Y)44N10T.pdf
IXTP44N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.32 грн
10+ 86.24 грн
14+ 76.66 грн
37+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP44P15T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_44p15t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP44P15T THT P channel transistors
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+483.15 грн
4+ 304.9 грн
10+ 288.35 грн
IXTP450P2 IXTH(P,Q)450P2.pdf
IXTP450P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+312.4 грн
3+ 271.39 грн
5+ 208.2 грн
14+ 196.88 грн
IXTP460P2 IXTQ460P2.pdf
IXTP460P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO220AB; 400ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP48N20T IXTA(P,Q)48N20T.pdf
IXTP48N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+272.06 грн
3+ 235.21 грн
6+ 184.68 грн
15+ 175.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP48P05T IXT_48P05T.pdf
IXTP48P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 30ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.55 грн
3+ 212.59 грн
6+ 184.68 грн
15+ 174.23 грн
50+ 171.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.93 грн
3+ 144.74 грн
9+ 116.73 грн
25+ 110.63 грн
300+ 106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N80P IXTA(P)4N80P.pdf
IXTP4N80P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.93 грн
3+ 143.84 грн
10+ 111.51 грн
26+ 105.41 грн
300+ 103.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP50N20P IXTA50N20P-DTE.pdf
IXTP50N20P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+303.02 грн
3+ 258.73 грн
5+ 224.75 грн
10+ 223.88 грн
13+ 212.56 грн
50+ 208.2 грн
IXTP50N20PM IXTP50N20PM-DTE.pdf
IXTP50N20PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP50N25T IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.44 грн
3+ 310.29 грн
5+ 238.69 грн
12+ 225.63 грн
IXTP52P10P IXT_52P10P.pdf
IXTP52P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO220AB
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP56N15T IXTA(P)56N15T.pdf
IXTP56N15T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 300W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 56A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.18 грн
3+ 142.93 грн
10+ 109.76 грн
26+ 103.67 грн
250+ 101.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.25 грн
3+ 390.81 грн
4+ 306.64 грн
10+ 290.09 грн
IXTP62N15P IXTA62N15P-DTE.pdf
IXTP62N15P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+323.66 грн
3+ 281.35 грн
5+ 216.91 грн
13+ 205.59 грн
IXTP6N100D2 IXTA(H,P)6N100D2.pdf
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+758.03 грн
2+ 525.6 грн
3+ 505.26 грн
6+ 478.26 грн
IXTP6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+576.96 грн
3+ 398.95 грн
8+ 363.27 грн
IXTP70N075T2 IXTA(P)70N075T2.pdf
IXTP70N075T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP75N10P IXTA75N10P-DTE.pdf
IXTP75N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP76N25T DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf
Виробник: IXYS
IXTP76N25T THT N channel transistors
товар відсутній
IXTP76P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+483.15 грн
4+ 304.9 грн
10+ 288.35 грн
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.86 грн
3+ 213.5 грн
7+ 162.9 грн
18+ 154.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP80N12T2 IXTA(P)80N12T2.pdf
IXTP80N12T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO220AB; 90ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 80A
Power dissipation: 325W
Case: TO220AB
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP86N20T IXTA(P,Q)86N20T.pdf
IXTP86N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 86A; 550W; TO220AB; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 86A
Power dissipation: 550W
Case: TO220AB
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP8N70X2 IXTA(P,U,Y)8N70X2.pdf
IXTP8N70X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.75 грн
3+ 240.64 грн
6+ 184.68 грн
16+ 174.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M.pdf
IXTP8N70X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.89 грн
3+ 170.07 грн
7+ 147.22 грн
10+ 146.35 грн
19+ 139.38 грн
50+ 137.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTP90N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.55 грн
3+ 139.32 грн
10+ 107.15 грн
27+ 101.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP96P085T IXT_96P085T.pdf
IXTP96P085T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTQ10P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
IXTQ10P50P THT P channel transistors
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.86 грн
3+ 376.33 грн
8+ 356.3 грн
IXTQ110N10P IXTQ110N10P-DTE.pdf
IXTQ110N10P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 33 66 99 132 165 198 231 246 247 248 249 250 251 252 253 254 255 256 264 297 330 333  [ Наступна Сторінка >> ]