![IXTP50N25T IXTP50N25T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXTP50N25T IXYS
![IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 297.86 грн |
3+ | 249 грн |
5+ | 198.91 грн |
12+ | 188.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP50N25T IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP50N25T за ціною від 179.11 грн до 400.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP50N25T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO220AB On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 166ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP50N25T | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP50N25T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP50N25T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP50N25T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP50N25T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |