IXTP6N50D2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 480.8 грн |
| 3+ | 320.14 грн |
| 8+ | 302.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP6N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTP6N50D2 за ціною від 307.24 грн до 734.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP6N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 64ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP6N50D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 2077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP6N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP6N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|