Продукція > IXYS > IXTP8N65X2
IXTP8N65X2

IXTP8N65X2 IXYS


media-3320944.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174 грн
10+ 142.66 грн
100+ 98.26 грн
250+ 90.6 грн
500+ 82.24 грн
1000+ 73.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP8N65X2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: X2-Class, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 8A, Power dissipation: 150W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 12nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 200ns, кількість в упаковці: 300 шт.

Інші пропозиції IXTP8N65X2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 Виробник : IXYS 650V_X-Class_MOSFETs_Product_Brief.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 Виробник : IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 Виробник : IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній