Продукція > IXYS > IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P IXYS

IXT_2R4N120P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 920ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+363.43 грн
3+ 298.36 грн
4+ 273.02 грн
9+ 257.81 грн
50+ 250.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP2R4N120P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 125W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 7.5Ω, Mounting: THT, Gate charge: 37nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 920ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTP2R4N120P за ціною від 235.68 грн до 485.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 920ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+436.12 грн
3+ 371.81 грн
4+ 327.62 грн
9+ 309.37 грн
50+ 300.68 грн
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS media-3319294.pdf MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+485.84 грн
10+ 410.94 грн
50+ 323.28 грн
100+ 297.55 грн
250+ 294.77 грн
500+ 276.7 грн
1000+ 235.68 грн
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
товар відсутній