IXTP450P2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.7 грн |
3+ | 217.26 грн |
5+ | 173.08 грн |
14+ | 163.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP450P2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP450P2 за ціною від 196.4 грн до 311.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP450P2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 43nC Kind of channel: enhanced Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTP450P2 Код товару: 164249 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IXTP450P2 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTP450P2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTP450P2 | Виробник : IXYS | MOSFET PolarP2 Power MOSFET |
товар відсутній |