![IXTP3N100D2 IXTP3N100D2](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5545/238%7ETO220-3-TO220AB%7E%7E3.jpg)
IXTP3N100D2 Littelfuse Inc.
![littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_3n100_datasheet.pdf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 316.63 грн |
50+ | 241.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP3N100D2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP3N100D2 за ціною від 151.93 грн до 340.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP3N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IXTP3N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IXTP3N100D2 Код товару: 163724 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IXTP3N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP3N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 5.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 17ns |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP3N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 5.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.02µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 17ns |
товар відсутній |