![IXTP8N70X2M IXTP8N70X2M](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A1/8E/00/00/0/59418_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=263cfba794860b61634ab5d386e1ae684a34b3d1)
IXTP8N70X2M IXYS
![IXTP8N70X2M.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.48 грн |
7+ | 122.69 грн |
10+ | 121.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP8N70X2M IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 4A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTP8N70X2M за ціною від 137.64 грн до 246.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP8N70X2M | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2M | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2M | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2M | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |