![IXTP26P10T IXTP26P10T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXTP26P10T IXYS
![IXT_26P10T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.63 грн |
3+ | 193.1 грн |
6+ | 153.9 грн |
15+ | 145.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP26P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP26P10T за ціною від 174.23 грн до 276.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP26P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -26A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 90mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP26P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTP26P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
IXTP26P10T | Виробник : IXYS |
![]() |
товар відсутній |