на замовлення 5684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 202.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP75N10P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP75N10P за ціною від 148.88 грн до 379.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP75N10P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 6249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP75N10P | Виробник : IXYS |
MOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP75N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 6249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP75N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTP75N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTP75N10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTP75N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 360W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns |
товар відсутній |