![IXTP96P085T IXTP96P085T](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/11/13/19/40/16/422247/ltf_/manual/littelfuse_power_semi_to-220_3_h_3l_image.jpg.jpg)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP96P085T Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 85V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 96A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm.
Інші пропозиції IXTP96P085T за ціною від 214.18 грн до 456.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V |
на замовлення 7715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 3691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 85V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -85V Drain current: -96A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 55ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IXTP96P085T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -85V Drain current: -96A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 55ns |
товар відсутній |