![IXTP32P05T IXTP32P05T](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXTP32P05T IXYS
![IXT_32P05T.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 46nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 26ns
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.12 грн |
4+ | 111.8 грн |
10+ | 87.84 грн |
27+ | 82.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP32P05T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP32P05T - MOSFET, P-CH, 50V, 32A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTP32P05T за ціною від 89.9 грн до 210.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP32P05T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -50V Drain current: -32A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Gate charge: 46nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±15V Case: TO220AB Reverse recovery time: 26ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP32P05T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP32P05T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP32P05T | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP32P05T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IXTP32P05T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |