![IXTP260N055T2 IXTP260N055T2](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IXTP260N055T2 IXYS
![IXTA(P)260N055T2.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 379.95 грн |
3+ | 317.97 грн |
4+ | 264.97 грн |
9+ | 250.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP260N055T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP260N055T2 за ціною від 244.44 грн до 477.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Drain current: 260A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 480W Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 60ns Drain-source voltage: 55V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP260N055T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |