Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (139540) > Сторінка 1727 з 2326

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1722 1723 1724 1725 1726 1727 1728 1729 1730 1731 1732 1856 2088 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NTHL065N65S3F ONSEMI NTHL065N65S3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL065N65S3HF ONSEMI nthl065n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL075N065SC1 ONSEMI NTHL075N065SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL080N120SC1A ONSEMI nthl080n120sc1a-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL082N65S3F ONSEMI NTHL082N65S3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL095N65S3HF ONSEMI nthl095n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL110N65S3F ONSEMI NTHL110N65S3F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 ONSEMI NTHL160N120SC1.PDF Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL190N65S3HF ONSEMI nthl190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHLD040N65S3HF ONSEMI nthld040n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHS4101PT1G ONSEMI nths4101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 0.7W; ChipFET
Mounting: SMD
Case: ChipFET
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.7W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 34mΩ
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -4.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTJD1155LT1G NTJD1155LT1G ONSEMI NTJD1155L.PDF Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.83 грн
25+ 22.34 грн
65+ 15.85 грн
178+ 14.98 грн
3000+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJD4001NT1G NTJD4001NT1G ONSEMI ntjd4001n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.21 грн
13+ 21.35 грн
50+ 15.33 грн
100+ 13.42 грн
117+ 8.8 грн
320+ 8.36 грн
3000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJD4105CT1G NTJD4105CT1G ONSEMI NTJD4105C.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.63/-0.755A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 445/900mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3/4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTJD4105CT2G NTJD4105CT2G ONSEMI ntjd4105c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.46/-0.558A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 375/300mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTJD4401NT1G NTJD4401NT1G ONSEMI NTJD4401N.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.71 грн
11+ 24.79 грн
25+ 18.99 грн
100+ 13.07 грн
117+ 8.8 грн
322+ 8.28 грн
1000+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI NTJD5121N_NVJD5121N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+26.27 грн
19+ 15.02 грн
50+ 9.6 грн
100+ 8.11 грн
231+ 4.43 грн
635+ 4.19 грн
3000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJS3151PT1G ONSEMI ntjs3151p-d.pdf NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+16.51 грн
25+ 11.04 грн
100+ 9.41 грн
120+ 8.6 грн
325+ 8.13 грн
3000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTK3043NT1G ONSEMI ntk3043n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT723
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.44W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.185A
On-state resistance: 3.4Ω
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
NTK3134NT1G NTK3134NT1G ONSEMI NTK3134N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 0.64A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT723
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.9 грн
25+ 17.19 грн
75+ 13.89 грн
205+ 13.14 грн
4000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTK3139PT1G NTK3139PT1G ONSEMI NTK3139P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTLJD3119CTBG ONSEMI ntljd3119c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTLUD4C26NTAG ONSEMI Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NTMD6N02R2G NTMD6N02R2G ONSEMI ntmd6n02r2-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6P02R2G NTMD6P02R2G ONSEMI ntmd6p02r2-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NTMFS5C604NLT1G NTMFS5C604NLT1G ONSEMI ntmfs5c604nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DFN5x6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 203A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G ONSEMI NTMFS5C670NL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.27 грн
5+ 127.56 грн
11+ 93.21 грн
30+ 87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS5C673NLT1G NTMFS5C673NLT1G ONSEMI ntmfs5c673nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 23W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 23W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G ONSEMI ntms10p02r2-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTPF190N65S3HF ONSEMI ntpf190n65s3hf-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+231.72 грн
150+ 193.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G ONSEMI NTR0202PL.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTR1P02LT1G ONSEMI ntr1p02lt1-d.pdf NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.42 грн
181+ 5.63 грн
496+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTR1P02LT3G NTR1P02LT3G ONSEMI ntr1p02lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
NTR1P02T1G ONSEMI ntr1p02t1-d.pdf NTR1P02T1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI ntr2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+25.89 грн
25+ 13.39 грн
100+ 11.59 грн
105+ 9.46 грн
285+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G ONSEMI ntr3a052pz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 0.72W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.72W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTR3C21NZT1G NTR3C21NZT1G ONSEMI ntr3c21nz-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.6A; 0.47W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.47W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTR4003NT1G NTR4003NT1G ONSEMI NTR4003N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
54+5.25 грн
100+ 4.55 грн
300+ 3.39 грн
825+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 54
NTR4003NT3G NTR4003NT3G ONSEMI ntr4003n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTR4101PT1G NTR4101PT1G ONSEMI ntr4101.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 7.5nC
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.17 грн
50+ 10.95 грн
131+ 7.71 грн
360+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTR4170NT1G NTR4170NT1G ONSEMI ntr4170n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+31.9 грн
12+ 23.61 грн
97+ 10.59 грн
267+ 10.02 грн
1000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTR4171PT1G NTR4171PT1G ONSEMI NTR4171P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 7.4nC
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.18 грн
25+ 22.62 грн
70+ 14.45 грн
192+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTR4501NT1G NTR4501NT1G ONSEMI NxR4501N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
22+13.32 грн
31+ 8.78 грн
100+ 6.97 грн
161+ 6.27 грн
441+ 5.92 грн
3000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTR4502PT1G NTR4502PT1G ONSEMI NTR4502P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTR5103NT1G NTR5103NT1G ONSEMI NTR5103N.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+18.76 грн
22+ 12.48 грн
100+ 5.61 грн
397+ 2.53 грн
1092+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTR5105PT1G NTR5105PT1G ONSEMI ntr5105p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.347W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+11.07 грн
45+ 6.51 грн
100+ 5.53 грн
205+ 4.92 грн
565+ 4.65 грн
3000+ 4.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTR5198NLT1G NTR5198NLT1G ONSEMI ntr5198nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 155mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.08 грн
14+ 19.72 грн
25+ 14.81 грн
100+ 10.28 грн
153+ 6.71 грн
421+ 6.36 грн
3000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTRV4101PT1G ONSEMI ntr4101p-d.pdf NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTS2101PT1G NTS2101PT1G ONSEMI nts2101p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTS260SFT1G NTS260SFT1G ONSEMI NTS260SF.PDF Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 2A; SOD123F; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Max. off-state voltage: 60V
Max. load current: 4A
Max. forward voltage: 0.65V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTS4001NT1G NTS4001NT1G ONSEMI nts4001n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+11.07 грн
35+ 7.78 грн
100+ 6.62 грн
180+ 5.75 грн
495+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTS4101PT1G NTS4101PT1G ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.329W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
29+9.76 грн
50+ 8.41 грн
162+ 6.25 грн
445+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
NTS4173PT1G NTS4173PT1G ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTS4409NT1G NTS4409NT1G ONSEMI NTS4409N.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+31.9 грн
12+ 24.61 грн
50+ 17.16 грн
100+ 14.72 грн
102+ 9.9 грн
278+ 9.36 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTTFS5116PLTAG ONSEMI nttfs5116pl-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; 20W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Power dissipation: 20W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
NTUD3169CZT5G ONSEMI ntud3169cz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.16/-0.14A
Power dissipation: 0.125W
Case: SOT963
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5/5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 8000 шт
товар відсутній
NTUD3170NZT5G ONSEMI ntud3170nz-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.16A; 0.125W; SOT963
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.125W
Case: SOT963
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 8000 шт
товар відсутній
NTZD3152PT1G NTZD3152PT1G ONSEMI NTZD3152P.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+28.14 грн
13+ 21.44 грн
25+ 16.99 грн
100+ 12.11 грн
111+ 9.23 грн
305+ 8.73 грн
500+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL065N65S3HF nthl065n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1.PDF
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL080N120SC1A nthl080n120sc1a-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL082N65S3F NTHL082N65S3F.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL095N65S3HF nthl095n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL110N65S3F NTHL110N65S3F.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1.PDF
NTHL160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL190N65S3HF nthl190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHLD040N65S3HF nthld040n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 0.7W; ChipFET
Mounting: SMD
Case: ChipFET
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.7W
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 34mΩ
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -4.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTJD1155LT1G NTJD1155L.PDF
NTJD1155LT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC88
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC88
On-state resistance: 130/320mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.8...8V DC
Control voltage: 1.5...8V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.83 грн
25+ 22.34 грн
65+ 15.85 грн
178+ 14.98 грн
3000+ 14.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NTJD4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.272W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.21 грн
13+ 21.35 грн
50+ 15.33 грн
100+ 13.42 грн
117+ 8.8 грн
320+ 8.36 грн
3000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJD4105CT1G NTJD4105C.PDF
NTJD4105CT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.63/-0.755A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 445/900mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3/4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTJD4105CT2G ntjd4105c-d.pdf
NTJD4105CT2G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-8V
Drain current: 0.46/-0.558A
Power dissipation: 0.14W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V; ±12V
On-state resistance: 375/300mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTJD4401NT1G NTJD4401N.PDF
NTJD4401NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.46A; 0.27W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.46A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.71 грн
11+ 24.79 грн
25+ 18.99 грн
100+ 13.07 грн
117+ 8.8 грн
322+ 8.28 грн
1000+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTJD5121NT1G NTJD5121N_NVJD5121N.pdf
NTJD5121NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.295A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.27 грн
19+ 15.02 грн
50+ 9.6 грн
100+ 8.11 грн
231+ 4.43 грн
635+ 4.19 грн
3000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTJS3151PT1G ntjs3151p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTJS3151PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 1W; SC70-6,SC88,SOT363
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.51 грн
25+ 11.04 грн
100+ 9.41 грн
120+ 8.6 грн
325+ 8.13 грн
3000+ 7.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTK3043NT1G ntk3043n-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.185A; 0.44W; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT723
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.44W
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.185A
On-state resistance: 3.4Ω
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
NTK3134NT1G NTK3134N.PDF
NTK3134NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 0.64A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT723
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.9 грн
25+ 17.19 грн
75+ 13.89 грн
205+ 13.14 грн
4000+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTK3139PT1G NTK3139P.pdf
NTK3139PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.57A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTLJD3119CTBG ntljd3119c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 2.8/-2.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65/100mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTLUD4C26NTAG
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.3A; 1.7W; uDFN6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NTMD6N02R2G ntmd6n02r2-d.pdf
NTMD6N02R2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTMD6P02R2G ntmd6p02r2-d.pdf
NTMD6P02R2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NTMFS5C604NLT1G ntmfs5c604nl-d.pdf
NTMFS5C604NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DFN5x6
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 203A
On-state resistance: 1.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NL.PDF
NTMFS5C670NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 1.8W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.27 грн
5+ 127.56 грн
11+ 93.21 грн
30+ 87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMFS5C673NLT1G ntmfs5c673nl-d.pdf
NTMFS5C673NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 23W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 23W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTMS10P02R2G ntms10p02r2-d.pdf
NTMS10P02R2G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Power dissipation: 2.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTPF190N65S3HF ntpf190n65s3hf-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+231.72 грн
150+ 193.59 грн
Мінімальне замовлення: 16
NTR0202PLT1G NTR0202PL.PDF
NTR0202PLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.18nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTR1P02LT1G ntr1p02lt1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTR1P02LT1G SMD P channel transistors
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+19.42 грн
181+ 5.63 грн
496+ 5.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTR1P02LT3G ntr1p02lt1-d.pdf
NTR1P02LT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
NTR1P02T1G ntr1p02t1-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTR1P02T1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTR2101PT1G ntr2101p-d.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3A
Power dissipation: 0.96W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+25.89 грн
25+ 13.39 грн
100+ 11.59 грн
105+ 9.46 грн
285+ 8.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTR3A052PZT1G ntr3a052pz-d.pdf
NTR3A052PZT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 0.72W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.72W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTR3C21NZT1G ntr3c21nz-d.pdf
NTR3C21NZT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.6A; 0.47W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.47W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 24mΩ
Drain current: 2.6A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTR4003NT1G NTR4003N.PDF
NTR4003NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.56A; 0.69W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.56A
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+5.25 грн
100+ 4.55 грн
300+ 3.39 грн
825+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 54
NTR4003NT3G ntr4003n-d.pdf
NTR4003NT3G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 0.83W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTR4101PT1G ntr4101.pdf
NTR4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; 0.21W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Gate charge: 7.5nC
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.21W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.17 грн
50+ 10.95 грн
131+ 7.71 грн
360+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTR4170NT1G ntr4170n-d.pdf
NTR4170NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.7A; 0.48W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.9 грн
12+ 23.61 грн
97+ 10.59 грн
267+ 10.02 грн
1000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTR4171PT1G NTR4171P.PDF
NTR4171PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 7.4nC
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.18 грн
25+ 22.62 грн
70+ 14.45 грн
192+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTR4501NT1G NxR4501N.PDF
NTR4501NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+13.32 грн
31+ 8.78 грн
100+ 6.97 грн
161+ 6.27 грн
441+ 5.92 грн
3000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTR4502PT1G NTR4502P.PDF
NTR4502PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.56A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.56A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTR5103NT1G NTR5103N.pdf
NTR5103NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.31A; 0.42W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
On-state resistance: 3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+18.76 грн
22+ 12.48 грн
100+ 5.61 грн
397+ 2.53 грн
1092+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTR5105PT1G ntr5105p-d.pdf
NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.141A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.347W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+11.07 грн
45+ 6.51 грн
100+ 5.53 грн
205+ 4.92 грн
565+ 4.65 грн
3000+ 4.63 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTR5198NLT1G ntr5198nl-d.pdf
NTR5198NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.6A; 0.6W; SOT23
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 155mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.08 грн
14+ 19.72 грн
25+ 14.81 грн
100+ 10.28 грн
153+ 6.71 грн
421+ 6.36 грн
3000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTRV4101PT1G ntr4101p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
NTRV4101PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTS2101PT1G nts2101p-d.pdf
NTS2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -1.1A; 0.29W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTS260SFT1G NTS260SF.PDF
NTS260SFT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 60V; 2A; SOD123F; reel,tape
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD123F
Max. off-state voltage: 60V
Max. load current: 4A
Max. forward voltage: 0.65V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTS4001NT1G nts4001n-d.pdf
NTS4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+11.07 грн
35+ 7.78 грн
100+ 6.62 грн
180+ 5.75 грн
495+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTS4101PT1G NTS4101P.PDF
NTS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.329W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 6.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+9.76 грн
50+ 8.41 грн
162+ 6.25 грн
445+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 29
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
NTS4173PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTS4409NT1G NTS4409N.PDF
NTS4409NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.75A; 0.28W; SC70,SOT323
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.9 грн
12+ 24.61 грн
50+ 17.16 грн
100+ 14.72 грн
102+ 9.9 грн
278+ 9.36 грн
1000+ 9.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTTFS5116PLTAG nttfs5116pl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; 20W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -14A
Power dissipation: 20W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
NTUD3169CZT5G ntud3169cz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.16/-0.14A
Power dissipation: 0.125W
Case: SOT963
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5/5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 8000 шт
товар відсутній
NTUD3170NZT5G ntud3170nz-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.16A; 0.125W; SOT963
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.125W
Case: SOT963
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 8000 шт
товар відсутній
NTZD3152PT1G NTZD3152P.PDF
NTZD3152PT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.14 грн
13+ 21.44 грн
25+ 16.99 грн
100+ 12.11 грн
111+ 9.23 грн
305+ 8.73 грн
500+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 464 696 928 1160 1392 1624 1722 1723 1724 1725 1726 1727 1728 1729 1730 1731 1732 1856 2088 2320 2326  [ Наступна Сторінка >> ]