на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR1P02LT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V.
Інші пропозиції NTR1P02LT1G за ціною від 3.58 грн до 32.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR1P02LT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR1P02LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR1P02LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; 0.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3028 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR1P02LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V |
на замовлення 10671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR1P02LT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET -20V -1.3A P-Channel |
на замовлення 191618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTR1P02LT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,3A; 400mW; -55°C ~ 150°C; NTR1P02LT3G (10000/reel) NTR1P02LT1G TNTR1P02l кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|