Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4173PT1G
NTS4173PT1G

NTS4173PT1G ON Semiconductor

nts4173p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4173PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTS4173PT1G за ціною від 6.51 грн до 37.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.85 грн
9000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1477+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 1477
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.41 грн
6000+ 7.76 грн
9000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.53 грн
9000+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.08 грн
27000+ 11.95 грн
54000+ 11.12 грн
81000+ 10.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.31 грн
500+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.88 грн
25+ 24.7 грн
32+ 18.98 грн
100+ 14.29 грн
250+ 12.17 грн
500+ 11.57 грн
1000+ 8 грн
3000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi nts4173p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 15 V
на замовлення 21388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.91 грн
13+ 23.3 грн
100+ 13.97 грн
500+ 12.14 грн
1000+ 8.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : onsemi NTS4173P_D-2319072.pdf MOSFET PFET SC70 30V TR
на замовлення 158768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.52 грн
13+ 26.69 грн
100+ 15.82 грн
1000+ 8.85 грн
3000+ 8.15 грн
9000+ 7.11 грн
24000+ 7.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013579543-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4173PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.09 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.37 грн
28+ 28.61 грн
100+ 14.31 грн
500+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTS4173PT1G Виробник : ON-Semicoductor nts4173p-d.pdf P-MOSFET 30V 1.2A NTS4173PT1G TNTS4173pt1g
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTS4173PT1G nts4173p-d.pdf
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4173p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.2A 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Виробник : ONSEMI nts4173p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.8A; Idm: -5A; 290mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.8A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 0.29W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній