NTHL082N65S3F ON Semiconductor
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 739.64 грн |
10+ | 636.12 грн |
100+ | 631.55 грн |
250+ | 580.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL082N65S3F ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTHL082N65S3F за ціною від 367.97 грн до 822.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL082N65S3F - Leistungs-MOSFET, SuperFET®, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Gate charge: 81nC Technology: SuperFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Case: TO247 кількість в упаковці: 450 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL082N65S3F | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 650V Drain current: 25.5A On-state resistance: 82mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Gate charge: 81nC Technology: SuperFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 100A Case: TO247 |
товар відсутній |