Продукція > ONSEMI > NTS4001NT1G

NTS4001NT1G onsemi

Name: NTS4001NT1G
Brand: onsemi
SKU: 661362-3
Price: 4.34 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	5.92 грн
6000+	5.45 грн
9000+	4.72 грн
30000+	4.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NTS4001NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTS4001NT1G за ціною від 4.18 грн до 33.17 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

NTS4001NT1G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013296019-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - NTS4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 270 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 112695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	8.21 грн
500+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

NTS4001NT1G

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.2A; 0.33W; SC70,SOT323
Case: SC70; SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
45+	9.3 грн
60+	6.24 грн
100+	5.52 грн
175+	4.94 грн
480+	4.65 грн

Мінімальне замовлення: 45

NTS4001NT1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 2279 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
30+	11.16 грн
35+	7.78 грн
100+	6.62 грн
175+	5.92 грн
480+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 30

NTS4001NT1G

Виробник : onsemi

MOSFETs 30V 270mA N-Channel

на замовлення 91692 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
13+	26.51 грн
18+	18.35 грн
100+	8.01 грн
1000+	6.48 грн
3000+	5.16 грн
9000+	4.46 грн
24000+	4.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

NTS4001NT1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 112695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
25+	31.35 грн
37+	21.42 грн
100+	8.21 грн
500+	7.48 грн

Мінімальне замовлення: 25

NTS4001NT1G

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 5 V

на замовлення 53046 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	33.17 грн
14+	22.21 грн
100+	11.19 грн
500+	8.57 грн
1000+	6.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

NTS4001NT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R

на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NTS4001NT1G

Виробник : ON-Semicoductor

N-MOSFET 30V 0.27A NTS4001NT1G TNTS4001n
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	8.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

NTS4001NT1G

Виробник : ON Semiconductor

N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 270 мА; Ptot, Вт = 0,33; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 33 @ 5; Qg, нКл = 1,3 @ 5 В; Rds = 1,5 Ом @ 10 мA, 4 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 100 мкА; SOT-323

на замовлення 51 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
51+	12.23 грн
100+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 51

NTS4001NT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

NTS4001NT1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 30V 0.27A 3-Pin SC-70 T/R

товар відсутній