NTR5105PT1G ON Semiconductor
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR5105PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 196mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 347mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTR5105PT1G за ціною від 2.65 грн до 29.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR5105PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 347mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V |
на замовлення 351000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR5105PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR5105PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 347mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR5105PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.347W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.141A; 0.347W; SOT23 Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.141A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.347W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 347mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 25 V |
на замовлення 351986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR5105PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET SOT23 60V 211MA 5OHM |
на замовлення 401235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR5105PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 347mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR5105PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.196A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |