на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR4501NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTR4501NT1G за ціною від 2.81 грн до 33.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4501NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 10A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3744 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 10 V |
на замовлення 24768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTR4501NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V 3.2A N-Channel |
на замовлення 47632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTR4501NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 40954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTR4501NT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 105mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NTR4501NT3G (10000/reel) NTR4501NT1G TNTR4501n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTR4501NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |