Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTR3A052PZT1G
NTR3A052PZT1G

NTR3A052PZT1G ON Semiconductor

ntr3a052pz-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTR3A052PZT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 720mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 720mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції NTR3A052PZT1G за ціною від 9.97 грн до 39.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G Виробник : ONSEMI 2724478.pdf Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 720mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.12 грн
500+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G Виробник : onsemi ntr3a052pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 27.3 грн
100+ 18.98 грн
500+ 13.9 грн
1000+ 11.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G Виробник : onsemi NTR3A052PZ_D-2319046.pdf MOSFET PFET SOT23 20V 52MO
на замовлення 28423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.26 грн
11+ 30.37 грн
100+ 18.4 грн
500+ 14.36 грн
1000+ 11.64 грн
3000+ 10.04 грн
45000+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G Виробник : ONSEMI 2724478.pdf Description: ONSEMI - NTR3A052PZT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.3 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 8643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.17 грн
24+ 33.07 грн
100+ 22.12 грн
500+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G Виробник : ONSEMI ntr3a052pz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 0.72W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.72W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G Виробник : onsemi ntr3a052pz-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1243 pF @ 4 V
товар відсутній
NTR3A052PZT1G NTR3A052PZT1G Виробник : ONSEMI ntr3a052pz-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 0.72W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.72W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
товар відсутній