![NTR0202PLT1G NTR0202PLT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
NTR0202PLT1G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR0202PLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTR0202PLT1G за ціною від 6.39 грн до 37.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTR0202PLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR0202PLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V |
на замовлення 18079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR0202PLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 115623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR0202PLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 14505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NTR0202PLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
NTR0202PLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23 On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
NTR0202PLT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.4A; 0.225W; SOT23 On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.18nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.4A |
товар відсутній |