![NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/10/6/437/ons_/manual/sc6.jpg)
NTJD5121NT1G ON Semiconductor
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJD5121NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: 0, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: 0, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Verlustleistung, n-Kanal: 0, Betriebstemperatur, max.: 150°C, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTJD5121NT1G за ціною від 2.39 грн до 26.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 50513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
на замовлення 127761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 321539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 0 MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: 0 Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 0 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Verlustleistung, n-Kanal: 0 Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 50093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
NTJD5121NT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
NTJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
NTJD5121NT1G Код товару: 185670 |
![]() |
товар відсутній
|