на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTJS4151PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTJS4151PT1G за ціною від 6.27 грн до 29.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Power dissipation: 1W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 820 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V |
на замовлення 6715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NTJS4151PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET -20V -4.2A P-Channel |
на замовлення 64933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
NTJS4151PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |