![NTR3C21NZT1G NTR3C21NZT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
NTR3C21NZT1G ON Semiconductor
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR3C21NZT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTR3C21NZT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTR3C21NZT1G за ціною від 7.5 грн до 37.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 218975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 16 V |
на замовлення 7542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 470mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.6A; 0.47W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.47W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 24mΩ Drain current: 2.6A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
NTR3C21NZT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.6A; 0.47W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.47W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 24mΩ Drain current: 2.6A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |