NTZD3152PT1G ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 5.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD3152PT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції NTZD3152PT1G за ціною від 4.81 грн до 33.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTZD3152PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3152PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3152PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.43A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTZD3152PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel |
на замовлення 48424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 57294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
NTZD3152PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |