NTTFS5116PLTAG ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 27.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTTFS5116PLTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTTFS5116PLTAG за ціною від 22.69 грн до 88.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTTFS5116PLTAG | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS5116PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS5116PLTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V |
на замовлення 14385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTTFS5116PLTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs PFET U8FL 60V |
на замовлення 94710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTTFS5116PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 7211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NTTFS5116PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; 20W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -14A Power dissipation: 20W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| NTTFS5116PLTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -14A; 20W; WDFN8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -14A Power dissipation: 20W Case: WDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |