![NTR2101PT1G NTR2101PT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTR2101PT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 8V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V.
Інші пропозиції NTR2101PT1G за ціною від 5.47 грн до 27.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 960mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 24592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 4 V |
на замовлення 35698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -3A; 0.96W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -8V Drain current: -3A Power dissipation: 0.96W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2601 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 158407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G Код товару: 85974 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
NTR2101PT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |