![NTHL075N065SC1 NTHL075N065SC1](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/5e67e2ecef26f88e4b5f22381cb9a8a032963a00/nthl015n065sc1.jpg)
NTHL075N065SC1 ON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 498.61 грн |
10+ | 423.69 грн |
25+ | 371.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTHL075N065SC1 ON Semiconductor
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V.
Інші пропозиції NTHL075N065SC1 за ціною від 326.75 грн до 672.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTHL075N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL075N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL075N065SC1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL075N065SC1 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NTHL075N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
NTHL075N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL075N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 74W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NTHL075N065SC1 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 74W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |