Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTS4101PT1G
NTS4101PT1G

NTS4101PT1G ON Semiconductor

nts4101p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
MOSFET Power, Single, P-Channel
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTS4101PT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 329mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTS4101PT1G за ціною від 2.49 грн до 40.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4323+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 4323
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.91 грн
9000+ 2.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5 грн
6000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1302000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.26 грн
9000+ 2.63 грн
24000+ 2.6 грн
45000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.34 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.63 грн
45000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.81 грн
9000+ 2.9 грн
24000+ 2.87 грн
45000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.95 грн
6000+ 5.48 грн
9000+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0016836243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1165+10.35 грн
1177+ 10.25 грн
1189+ 10.14 грн
1586+ 7.33 грн
3000+ 5.78 грн
6000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 1165
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.13 грн
500+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.329W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+21.84 грн
24+ 15.21 грн
50+ 10.21 грн
100+ 8.55 грн
163+ 5.17 грн
447+ 4.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI NTS4101P.PDF Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.62A; 0.329W; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.62A
Power dissipation: 0.329W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.2 грн
15+ 18.95 грн
50+ 12.25 грн
100+ 10.25 грн
163+ 6.2 грн
447+ 5.86 грн
6000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 13224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+32.97 грн
28+ 21.95 грн
30+ 20.36 грн
100+ 9.27 грн
250+ 8.49 грн
500+ 8.07 грн
1000+ 6.05 грн
3000+ 5.15 грн
6000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi nts4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 329mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 20 V
на замовлення 27636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.09 грн
14+ 22.23 грн
100+ 11.25 грн
500+ 8.61 грн
1000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : onsemi NTS4101P_D-2319206.pdf MOSFET -20V -1.37A P-Channel
на замовлення 36621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.17 грн
13+ 24.86 грн
100+ 8.9 грн
1000+ 6.6 грн
3000+ 5.21 грн
9000+ 4.59 грн
24000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ONSEMI 2160709.pdf Description: ONSEMI - NTS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 640mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 46784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.63 грн
26+ 30.03 грн
100+ 15.13 грн
500+ 13.76 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTS4101PT1G Виробник : ON-Semicoductor nts4101p-d.pdf P-MOSFET 20V 1.37A 120mΩ 329mW NTS4101PT1G TNTS4101pt1g
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.37A 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Виробник : ON Semiconductor nts4101p-d.pdf MOSFET Power, Single, P-Channel
товар відсутній