FDMS86202 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 146.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMS86202 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 0.006 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDMS86202 за ціною від 130 грн до 333.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86202 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86202 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 0.006 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDMS86202 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET CCI MOSFET |
на замовлення 3987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 0.006 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET CCI MOSFET |
на замовлення 5723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDMS86202 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin Power 56 EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FDMS86202 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 13.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 156W Gate charge: 64nC Polarisation: unipolar Drain current: 64A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 120V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| FDMS86202 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: Power56 On-state resistance: 13.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 156W Gate charge: 64nC Polarisation: unipolar Drain current: 64A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 120V |
товар відсутній |